据投资行业媒体报道，全球半导体行业的新星英诺赛科昨晚(2024年6月17日晚)正式向香港证券交易所提交上市申请。预计IPO市值将达到235亿元，苏州将迎来一场超级IPO，标志着一家行业巨头即将在苏州诞生。

骆薇薇：女，英诺赛科(苏州)半导体有限公司董事长

前NASA首席科学家新西兰梅西大学应用数学博士。

2024年，与华为孟晚舟、抖音张楠等一起，骆薇薇获得福布斯中国100名优秀女性。

在这一刻，英诺赛科提交了IPO，骆薇薇用了7年。

2017年，回国创业的骆薇薇在苏州成立。 英诺赛科(苏州)半导体有限公司。

当英诺赛科成立时，骆薇薇竟然选择了8英寸硅基氮化邈技术作为研发方向，这一决定在当时很少有企业敢于尝试。

英诺赛科突破了许多阻力，最终成功自主研发了8英寸硅基氮化钒技术，并迅速实现了量产，填补了国内市场在这一领域的差距。

主要业务是英诺赛科

英诺赛科的主要业务是开发、生产和销售基于硅基氮化邈的晶圆及相关技术。公司设计了大量高性能、低成本、低能耗的氮化钒产品，适用于消费电子快充、LED照明、数据中心、工业和新能源汽车等领域。

谈到英诺赛科，我们必须提到它的IDM全产业链模式。

这个意思是什么？

简单来说，就是英诺赛科安排了从设计一个芯片的蓝图到让这个蓝图在硅片上变成现实，再到保证每个芯片都是精锐战士。

此外，它还拥有世界上最大的8英寸硅基氮化邈晶圆生产能力，这是世界上最好的之一。

但是英诺赛科的野心并不止于此。

8英寸 GaN-on-Si epi-buffer 8英寸 GaN-on-Si epi-buffer

它的产品线覆盖了从低压到高压的氮化钒功率装置，每个产品的设计和性能都达到了国际先进水平。

正如在半导体的舞台上，英诺赛科不仅参加了表演，而且设定了表演标准。

更加严重的是，在激光雷达、数据中心、5G通信等领域，英诺赛科发布了自己的产品计划，并与国内多家头部企业深度合作，实现量产。

最新一代正在使用英诺赛科。 Aixtron MOCVD reactor G5 C™ 生产8英寸GaN-on-Si晶圆

英诺赛科作为世界领先的第三代半导体公司，在8英寸硅基氮化邈核心技术和关键技术方面取得了重大突破。

它建立了一个高功率密度、高效率、高增益、低成本的量产平台，这是中国半导体历史上零的突破，也是一个质的飞跃。

235亿英诺赛科IPO成功市值

英诺赛科自豪地在最新提交给港交所的招股说明书中宣布了一项行业领先成绩：

截至2023年12月31日，该公司已发展成为世界上最大的氮化邈功率半导体生产基地，具有每月生产高达10000片晶圆的能力。

此外，英诺赛科在2021-2023年的收入分别为6821.5万元、1.36亿元和5.93亿元。

根据弗若斯特沙利文的权威数据，英诺赛科在2023年的氮化邈功率半导体市场，

以收入计算，荣获世界第一荣誉。

由于对R&D的持续投入和对产品质量的不懈追求，以及在多个关键技术领域的突破，英诺赛科的领先地位得益于其。

被起诉专利侵权三年亏损近70亿元。

从2021年到2023年，英诺赛科就像一场马拉松，尽管他一直在向前奔跑，但是还没有到达目的地。

在过去的三年里，其损失分别为34亿、22.05亿和11.02亿，共计67.07亿。

到目前为止，英诺赛科已经成功地获得了五轮融资的丰硕成果，累计融资额达到60.34亿元。

这些都包括曾毓群，宁德时代的创始人。 宁德时代创始人曾毓群于2021年1月以个人投资者身份认购了英诺赛科7504.54万元的注册资本。

高通硅兼容的制造工艺 高通硅兼容的制造工艺

或者英诺赛科面临多期侵权诉讼

在积累了213项专利之后，英诺赛科一直为自己的213项专利感到骄傲，但是他从来没有想到，这些成就的背后，竟然隐藏着被竞争者手指摘下的阴影。

英飞凌于2024年3月公开指控英诺赛科侵犯其氮化邈技术专利，并迅速向法院提起诉讼，寻求永久禁令。

此前，EPC还因专利侵权问题向英诺赛科提起诉讼，要求赔偿并禁止其在美国销售相关产品。

这种持续的诉讼，对正在积极进入海外市场的英诺赛科来说，无疑是一个巨大的挑战。

虽然英诺赛科在官网愤慨回应，认为EPC的指控没有事实依据，是一种想象行为，但诉讼的阴霾仍然笼罩着公司的海外业务。

英诺赛科在招股书中承认，一旦诉讼判决不利，公司可能面临停止生产或销售涉案产品的风险，甚至需要支付高额赔偿。

对海外销售收入已经占到总收入9.8%的英诺赛科来说，这无疑是一个严峻的考验。

IPO不是终点，而是起点

英诺赛科在骆薇薇的带领下，不断突破技术难关，实现了从科研到产业的华丽转变。

这场战斗，骆薇薇博士，不仅是对英诺赛科的投资，也是对中国半导体产业未来发展的深刻洞察。

英诺赛科和骆薇薇的冒险之旅仍在继续。