中国研发光刻机，比ASML早20年，为什么还被美国卡脖子？

文丨侠说科技

众所周知，在全球半导体产业的竞争中，光刻机作为核心设备，其技术水平直接决定了芯片的性能与成本，所以光刻机的重要性是不言而喻的。特别是2019年以来，美国对中国企业实施了严格的出口管制，禁止其使用含有美国技术的半导体设备和软件。

这一举措不仅严重影响了国内企业的芯片供应以及未来的发展，对中国整个半导体产业链造成了冲击，更是让公众对光刻机的重要性有了重新认识。在这样严峻的形势下，中国半导体产业面临着前所未有的巨大挑战，而自研光刻机在此时显得尤为重要。

在此时，设立专项资金，鼓励企业创新，加强知识产权保护，为技术研发创造良好的环境，对内，国家出台了一系列的扶持政策，而对外，国家也在积极的引进高端人才，争取为产业发展注入新的活力。

然而，光刻机之所以能够成为半导体产业竞争中的核心设备，它的研发难度注定是非常高的。事实上也确实如此！研发光刻机涉及到物理学、化学、材料以及商业等多个领域的前沿知识和技术，是一个集多学科于一体的高科技工程。

除此之外，全球光刻机霸主ASML之所以能够成为全球光刻机市场的霸主，不仅仅是依靠自身的技术，更得益于欧美及亚洲主要半导体企业的大力支持。据《经济学人》杂志报道，ASML早与英特尔、台积电、三星等国际大厂建立了紧密的合作关系。

这些公司在资金、技术和市场需求上给予了ASML巨大的支持。而对比ASML，中国在相关方面有着很多的局限与不足。但好在，困境往往是激发创新与突破的源动力。在国家的带领与倡导下，国内众多科研机构和企业纷纷挺身而出，加大研发投入，力求在光刻机技术上实现自主可控。

例如，上海微电子装备集团（SMEE）在干式DUV光刻机领域取得了重要突破，其最新产品的性能已经接近国际先进水平。此外，还有消息称，某机构宣布，最新的国产光刻机已经达到了65纳米及以下的分辨率，并实现了8纳米的套刻精度。

这一成绩标志着中国在干式DUV（深紫外线）光刻技术上取得了重大突破。然而，与行业领头羊ASML相比，国产光刻机仍有明显的差距。ASML的浸润式DUV光刻机已经能够实现10纳米及以下的分辨率，甚至在EUV（极紫外）光刻技术上也处于领先地位。

据《半导体产业协会》（SEMI）的报告显示，ASML的EUV光刻机已经在7纳米及以下节点的芯片制造中广泛应用，而中国在这方面显然还有很长的路要走。不过，中国自研光刻机何时能赶超国际水平，这并不是今天文章探讨的焦点。

中国的光刻机研发始于上世纪60年代，比ASML成立的时间早近20年，这意味着，在光刻机的研发与发展上，中国与ASML之间已经产生了20年的差距！为什么中国进入光刻机研发的时间比ASML早，最后却是一个落后的结果？这就是我们今天讨论的焦点！

回顾历史，上世纪60年代，1960年中苏关系恶化，1959~1961年中国遭受三年自然灾害，1962年，中印边界爆发武装冲突。然而这些与接下来的10年动乱相比，简直是小巫见大巫。10年动乱，对中国社会产生了深远的影响。

动乱期间，学校、工厂、军队等社会组织经历了不同程度的解体和破坏，社会秩序遭受严重干扰。许多知识分子和专业人士遭受打击、迫害乃至侮辱，这些行为不仅侵犯了个人权利，还导致了人才的流失和社会进步的停滞。

由于动乱导致的社会不稳定和经济活动的中断，国家经济受到了严重影响。生产力下滑，经济增长减速，人民生活水平下降，国家经济实力受到削弱。此外，动乱对文化和教育系统造成了巨大冲击，教育质量大幅下降，科研工作几乎停滞。

随后，1971年中美建交后，美国嗅到了机会，“造不如买”的思想开始滋生。当时的企业，甚至相关部门大量进口国外先进的半导体设备，导致国内自主研发的步伐进一步放缓。这一时期，中国半导体产业更多依赖于进口设备和技术，自主研发能力再次减弱。

在这样的背景下，中国半导体产业陷入了发展的困境。国外的技术封锁和自身研发能力的不足，使得国内半导体产业在国际竞争中逐渐失去优势。所以，半导体领域今日的受限，很大程度上是源自自身，而光刻机上的滞后，自然是与之脱不开关系的。